消息称三星电子正考虑将美国得州泰勒工厂工艺规划从 4nm 改为 2nm

6 月 18 日消息，据 Etnews 报道，三星电子正在考虑将其美国得克萨斯州泰勒工厂的工艺制程从 4 纳米改为 2 纳米，以加强与台积电美国厂和英特尔的竞争。消息人士称，三星电子最快将于第三季度做出最终决定。

▲ 三星电子泰勒工厂建设工地（图源：三星电子）

三星电子泰勒工厂投资于 2021 年，次年开始建设，计划于 2024 年底开始分阶段运营。三星电子 DS 部门前负责人 Lee Bong-hyun 曾表示，“到 2024 年底，我们将开始从这里出货 4 纳米产品”。

相对地，英特尔计划今年在亚利桑那州和俄亥俄州工厂量产 Intel 20A 和 18A 工艺。此外，台积电正在美国建设三座晶圆厂，计划 2025 年上半年投产 4nm 制程，2028 年投产 2/3nm 制程，2030 年投产 2nm 以下制程。

在 4 月举行的第一季度业绩发布会上，三星电子表示“我们正准备根据客户订单分阶段启动美国泰勒工厂的运营工作，预计将于 2026 年实现首次量产。”

得益于泰勒工厂，三星电子能够从美国政府获得 64 亿美元（备注：当前约 464.98 亿元人民币）的补贴，到 2030 年总投资预计将超过 400 亿美元（当前约 2906.15 亿元人民币）。对于泰勒工厂的工艺转变是否会影响投资，我们还需拭目以待。