6 月 14 日消息,西部数据在前不久的投资者活动上预览了 2Tb 容量版本的 BICS8(218 层) QLC NAND 芯片,这也是业界目前最高密度的闪存芯片。
该存储颗粒专为满足数据中心与 AI 存储需求设计,可进一步降低高容量企业级固态硬盘成本,满足越来越庞大的数据存储需求。
一个闪存颗粒由多个闪存芯片堆叠封装而成,单芯片 2Tb 意味着西数可通过 16 层堆叠提供 4TB 容量颗粒,为未来 128TB 乃至 256TB 量级企业级固态硬盘铺平道路。
西部数据闪存业务总经理罗伯特・索德伯里(Robert Soderbery)还在这场活动上展示了 BICS8 2Tb QLC NAND 闪存芯片实物,该芯片的长度与一个指尖的宽度大致相当:
索德伯里表示,该闪存新品即将正式发布。
回到 BiCS8 技术上来,西部数据-铠侠此次采用了类似长江存储 Xtacking 的 CBA 技术路线,即分别制造存储堆栈和 CMOS 控制电路,最后将两部分混合键合。
这一模式可在提升闪存读写性能的同时,有效提升闪存整体存储密度,降低运行功耗。
具体在数值层面,西数表示,BICS8 颗粒在密度上比竞争对手高出 15~19%,其中 1Tb 版本的 TLC 颗粒拥有与对手 2xxL 1Tb QLC 颗粒相媲美的存储密度。
而在能效方面,西部数据宣称其 BICS8 闪存在编程能耗(注:原文 Program Efficiency)方面比竞争对手低 13%。