TrendForce：2025 年 HBM 内存价格调涨约 5~10%，占 DRAM 总产值预估将逾三成

5 月 6 日消息，市场分析机构 TrendForce 集邦咨询今日发布研报，表示 2025 年 HBM 内存市场将继续繁荣，产能和市场份额都将进一步提升。

研报指出，2023 年 HBM 在整体 DRAM 内存中的位元产出占比仅有 2%，今年有望成长到 5%，明年更将跨越 10% 节点；

而在市场份额方面，去年 HBM 占整体 DRAM 的 8%，今年将达 21%，2025 年有望成长到超过三成。

▲ 图源 TrendForce 集邦咨询

TrendForce 的数据显示，目前 HBM 同传统 DDR5 内存的价差约为五倍，同时 HBM3e 内存 TSV 工艺的良率目前仅有 40~60%。

研报表示，供需双方今年二季度已开始就 2025 年的 HBM 订单进行初步价格谈判；另据此前报道，美光、SK 海力士今年的 HBM 产能已经售罄。

受限于整体 DRAM 产能有限，HBM 内存供应商初步调升了 5~10% 定价，覆盖 HBM2e、HBM3、HBM3e 品类。

目前 HBM 买家仍对 AI 前景保持高度信心，愿意接受价格的进一步上涨；而在供应商方面，未来各厂商的 HBM 内存单价将受可靠性和供应能力影响，存在出现价差并影响获利的可能。

展望 2025 年，HBM 内存的重心将转向 12 层堆叠和 HBM3e 品类，带动 HBM 芯片平均单堆栈容量的提升。2024 年 HBM 内存需求量已增长近 200%，明年有望再次翻倍。