消息称 SK 海力士 3 月开始大规模量产 HBM3E 内存，首批交付英伟达

2 月 20 日消息，据 Moneytoday，SK 海力士于 1 月中旬正式结束了 HBM3E 的开发工作，顺利完成了 Nvidia 历时半年的性能评估，并计划于 3 月开始大规模生产五代 HBM3E 高带宽内存产品，并在下个月向 Nvidia 供应首批产品。

半导体产品的开发分为九个阶段（Phases 1-9），目前该公司已完成所有阶段的开发，并进入最后阶段–增产（ramp-up），这也意味着从现在起生产的所有 HBM3E 都可以交付给 Nvidia。

除 SK 海力士外，其竞争对手三星电子和美光也向 Nvidia 提供过 HBM3E 样品，但它们要到 3 月份才会开始最终的质量认证测试，以确保产品能够达到出货质量要求，而 SK 海力士比预先安排的档期提前了至少两个月。

据介绍，这批 HBM3E 将用于英伟达下一代 AI 芯片“Blackwell”系列中的旗舰级产品 B100，而英伟达则计划于今年第二季度末或第三季度初推出该系列产品。注：Blackwell 即美国科学院院士戴维・布莱克维尔，他是美国科学院首位黑人院士、加州大学伯克利分校首位黑人终身教授，因病于 2010 年 7 月 8 日逝世，享年 91 岁。

目前，NVIDIA 已经占据 AI GPU 市场 90% 以上的份额；而在存储领域，SK 海力士已经占据全球 HBM 市场一半以上的份额，更是 100% 垄断了 128GB DDR5 这类大容量 DRAM 产品市场。