1 月 27 日消息，原子能信息实验室近日发布预告，表示将出席 1 月 31 日开幕的 2024 年美国西部光电博览会，发表两篇关于其 microLED 技术进展的论文，介绍如何制造数据速率密度更高的 LED 矩阵，以及如何减少小尺寸 LED 的效率损失。

在《使用 CMOS 兼容方法与 InGaN / GaN 微型 LED 进行并行通信》论文中，原子能信息实验室将介绍如何直接在 200 毫米硅基板上制造 LED，为生产由专用 CMOS 电路独立控制、几微米级别的 LED 矩阵铺平了道路。

InGaN / GaN 微型发光二极管因其坚固耐用、大规模可用性和达到 GHz 级带宽的能力，成为实现高数据速率光通信的有力候选器件。

LED 阵列使用 InGaN / GaN 微型发光二极管，可以实现大规模并行传输，从而达到高数据速率密度。

原子能信息实验室还研发出一种将 GaN LED 矩阵集成到 CMOS ASIC 上的专利工艺，通过将微型 LED 直接粘接在 200 毫米硅晶片上，并使用氮化镓基器件作为发射器和快速光电探测器，优化了微型 LED 的集成度。

另一项论文名为《在蓝宝石、独立 GaN 和硅上，InGaN 量子阱厚度对其载流扩散长度的影响》。

该机构表示：“我们通过实验证明，可以通过减小 InGaN 量子阱的厚度来减少扩散长度。此外，我们还展示了在大型量子阱中观察到的与功率相关的、意想不到的扩散行为，这可能有助于我们理解发射器的物理学原理。”

附上论文参考地址

• Parallel Communication with InGaN/GaN Micro-LEDs Using a CMOS Compatible Approach”

• Influence of quantum well thickness on carrier diffusion length in InGaN quantum wells grown on sapphire, freestanding GaN, and Si