1. 电脑内存使用时间怎么查

1、系统用久，电脑运行肯定会卡，以及反应慢，不是电脑配置不行，而是电脑垃圾和插件过多，开机启动项目过多，造成的电脑卡，以及慢的情况，这个时候，最好最快的选择就是重装系统，重装系统，只会改变电脑C盘里的系统，像电脑D和E和F盘里面的文件和东西一个都不会少。

2、电脑内存或CPU使用率过高，电脑开机刚开始感觉还不错，用了几个小时感觉电脑越来越卡，这种情况除了病毒外，一般都是电脑内存或CPU占用率太高。出现这种情况的原因是可能电脑中打开了过多的应用程序，可以关闭一些暂时不用的程序来释放内存或处理器空间。

3、电脑中病毒导致电脑越来越卡，有一种攻击可以使网络瘫痪。可以先用电脑上的杀毒软件全面扫描磁盘，发现病毒清理即可，病毒库建议最好升级到最新版本。

4、电脑配置过低，现在电脑最大的瓶颈一般是内存，ie运行时间长就特别耗内存，win7、win8也是吃内存大户。所以增加内存是解决电脑慢卡的最有效办法。

2. 查看内存使用时间

内存条颗粒查看方法

1、直接在内存条上查看颗粒

1.拿出内存条，观察内存条颗粒上标注的厂商标识、logo和编号即可得知该内存条颗粒的信息。

2.如果内存条配备了散热马甲，那么首先需要将散热马甲拆掉，之后才能看到颗粒上标注的信息。

2、使用aida64看内存颗粒

1.打开电脑，下载【aida】软件。打开【aida64】的文件夹，找到【aida64.exe】文件并双击启动该软件。

2.启动【aida64】后，点击左侧菜单栏中的【主板】，然后点击【SPD】。在右侧的【设备描述】菜单中选择想要查看的内存条，下面【内存模块】信息中【DRAM制造商】一栏显示的信息就是内存颗粒的厂商。

内存条时序查看方法

1、在官网下载AIDA64并安装，在网上查找序列号或算号器输入序列号完成许可。打开AIDA64

2、点开主板分支，和内存相关的有两个面板：内存 和 SPD

3、在内存面板，只显示物理内存，虚拟内存总量和使用量等信息。

4、在SPD面板，显示内存的硬件信息。如果是多内存，在设备描述里面切换内存条，下面显示内存型号，制造日期，序列号，存取类型，存取速度，内存时序等。

3. 怎么查电脑运行内存使用情况

查看电脑支持多大内存条方法：

1.按win+R键，打开“运行”窗口输入cmd；

2.输入“wmicmemphysicalgetmaxcapacity”，然后按回车；

3.将得出的数字除两次1024，即可得出电脑支持多大内存条。 查看自己的电脑型号方法：

1.在“我的电脑”里点击“系统属性”；

2.在“系统属性”页面点击window体验指数；

3.之后点击“查看和打印详细的性能和系统信息”即可。 扩展资料 注意事项 操作系统不同，主板不同，那么它们所支持最大内存容量也是不同的。

Win32位的系统，最高是支持3.25G左右的内存，无论你的主板最高支持多少，但32位系统最高只能支持3.25G左右内存。

如果你装的内存超过4G或刚好4G，请装64位的操作系统，以获得更大的内存支持，加快个人PC的处理速度。

4. 如何查电脑的内存使用情况

1、运行电脑。

2、在Windows系统中，对着计算机图标击右键，选择“属性”菜单选项。

3、在计算机属性页面中，我们即可看到电脑中安装的运行内存容量大小。

4、在Win10系统中，还可以对着任务栏击右键，选择“任务管理器”选项。

5、在打开的任务管理器页面中，选择“性能”选项卡，并点击“内存”菜单，即可看到电脑中安装的运行内存容量大小了。

5. 电脑内存使用时间怎么查询

电脑内存达到8G或者以上，普通运行和使用已经没有任何区别了。只有在运行大型复杂软件和大型程序、大型3D游戏的时候16G比8G才有优势。但是普通家用电脑根本不可能运行这类大型商业或者工业软件的。如果是专业玩家运行大型3D游戏用16G内存也绝对足够了。32G内存或者以上内存普通家用或者专业玩家都是用不到这么多的。大内存的话可多内存的优势分别在于内存命中率和双通道效率。另外如果以后需要再增加内存的话，可以考虑选用两根16G的内存节省主板上内存插槽。intel核心显卡可以提升10%-20%的性能，amd核心显卡可以提升40%左右的性能，CPU性能也有一定的提升，复制文件都要快一些。然后，现代主流的桌面操作系统（Win7以上，或者Linux，或者OSX）会把全部的剩余内存用作硬盘缓存，这部分内存不显示为被占用。如果你有32G的内存，显示只占用了8G，那么剩下的24G都是用作硬盘缓存的，如果常用的软件都在这24G之内，并且你没有关机，意味着实际上你的硬盘是内存速度，内存比最快的SSD还快几十倍。Windows用户可以打开资源监视器这个程序，里面的内存页面，显示的蓝色区域，名为备用的区域就是缓存，而显示为可用的浅蓝色区域才是真正的什么都不用的，这部分内存一般非常小，也就是说其实只有这部分是真正闲置的。内存越大，蓝色的备用区域就越大，用来做缓存的内存就越多。Linux用户则可以在命令行用free命令，查看其中 buff/cache 那一栏，那一栏的占用就是用来缓存的，通常，开机使用一段时间之后，这个缓存才会占满，不要关机，持续运行，缓存将始终保持在较高的水平。作者：pansz链接：/d/file/img/08/2vtotnhflve 如何看内存使用时间

一种参数，一般存储在内存条的SPD上。2-2-2-8 4个数字的含义依次为：CAS Latency（简称CL值）内存CAS延迟时间，他是内存的重要参数之一，某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上。RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间。Row－precharge Delay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间。Row－active Delay（tRAS），内存行地址选通延迟。这是玩家最关注的4项时序调节，在大部分主板的BIOS中可以设定，内存模组厂商也有计划的推出了低于JEDEC认证标准的低延迟型超频内存模组，在同样频率设定下，最低“2-2-2-5”这种序列时序的内存模组确实能够带来比“3-4-4-8”更高的内存性能，幅度在3至5个百分点。

在一些技术文章里介绍内存设置时序参数时，一般数字“A-B-C-D”分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”，现在你该明白“2-3-3-6”是什么意思了吧？！^_^下面就这几个参数及BIOS设置中影响内存性能的其它参数逐一给大家作一介绍：

一、内存延迟时序“CL-tRCD-tRP-tRAS”的设置

首先，需要在BIOS中打开手动设置，在BIOS设置中找到“DRAM Timing Selectable”，BIOS设置中可能出现的其他描述有：Automatic Configuration、DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等，将其值设为“Menual”（视BIOS的不同可能的选项有：On/Off或Enable/Disable），如果要调整内存时序，应该先打开手动设置，之后会自动出现详细的时序参数列表：

Command Per Clock(CPC)

可选的设置：Auto，Enable(1T)，Disable(2T)。

Command Per Clock(CPC：指令比率，也有翻译为：首命令延迟)，一般还被描述为DRAM Command Rate、CMD Rate等。由于目前的DDR内存的寻址，先要进行P-Bank的选择（通过DIMM上CS片选信号进行），然后才是L-Bank/行激活与列地址的选择。这个参数的含义就是指在P-Bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的L-Bank/行激活命令，单位是时钟周期。

显然，也是越短越好。但当随着主板上内存模组的增多，控制芯片组的负载也随之增加，过短的命令间隔可能会影响稳定性。因此当你的内存插得很多而出现不太稳定的时间，才需要将此参数调长。目前的大部分主板都会自动设置这个参数。

该参数的默认值为Disable(2T)，如果玩家的内存质量很好，则可以将其设置为Enable(1T)。

CAS Latency Control(tCL)

可选的设置：Auto，1，1.5，2，2.5，3，3.5，4，4.5。

一般我们在查阅内存的时序参数时，如“3-4-4-8”这一类的数字序列，上述数字序列分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。这个3就是第1个参数，即CL参数。

CAS Latency Control(也被描述为tCL、CL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay)，CAS latency是“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”。CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。因为CAS主要控制十六进制的地址，或者说是内存矩阵中的列地址，所以它是最为重要的参数，在稳定的前提下应该尽可能设低。

内存是根据行和列寻址的，当请求触发后，最初是tRAS（Activeto Precharge Delay），预充电后，内存才真正开始初始化RAS。一旦tRAS激活后，RAS（Row Address Strobe ）开始进行需要数据的寻址。首先是行地址，然后初始化tRCD，周期结束，接着通过CAS访问所需数据的精确十六进制地址。期间从CAS开始到CAS结束就是CAS延迟。所以CAS是找到数据的最后一个步骤，也是内存参数中最重要的。

这个参数控制内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令。同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传送所需要的时钟周期数。这个参数越小，则内存的速度越快。必须注意部分内存不能运行在较低的延迟，可能会丢失数据，因此在提醒大家把CAS延迟设为2或2.5的同时，如果不稳定就只有进一步提高它了。而且提高延迟能使内存运行在更高的频率，所以需要对内存超频时，应该试着提高CAS延迟。

该参数对内存性能的影响最大，在保证系统稳定性的前提下，CAS值越低，则会导致更快的内存读写操作。CL值为2为会获得最佳的性能，而CL值为3可以提高系统的稳定性。注意，WinbondBH-5/6芯片可能无法设为3。

RAS# to CAS# Delay(tRCD)

可选的设置：Auto，0，1，2，3，4，5，6，7。

该值就是“3-4-4-8”内存时序参数中的第2个参数，即第1个4。RAS# to CAS# Delay(也被描述为：tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD)，表示”行寻址到列寻址延迟时间”，数值越小，性能越好。对内存进行读、写或刷新操作时，需要在这两种脉冲信号之间插入延迟时钟周期。在JEDEC规范中，它是排在第二的参数，降低此延时，可以提高系统性能。建议该值设置为3或2，但如果该值设置太低，同样会导致系统不稳定。该值为4时，系统将处于最稳定的状态，而该值为5，则太保守。

如果你的内存的超频性能不佳，则可将此值设为内存的默认值或尝试提高tRCD值。

Min RAS# Active Timing(tRAS)

可选的设置：Auto，00，01，02，03，04，05，06，07，08，09，10，11，12，13，14，15。

该值就是该值就是“3-4-4-8”内存时序参数中的最后一个参数，即8。Min RAS# Active Time (也被描述为：tRAS、Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time)，表示“内存行有效至预充电的最短周期”，调整这个参数需要结合具体情况而定，一般我们最好设在5－10之间。这个参数要根据实际情况而定，并不是说越大或越小就越好。

如果tRAS的周期太长，系统会因为无谓的等待而降低性能。降低tRAS周期，则会导致已被激活的行地址会更早的进入非激活状态。如果tRAS的周期太短，则可能因缺乏足够的时间而无法完成数据的突发传输，这样会引发丢失数据或损坏数据。该值一般设定为CAS latency + tRCD + 2个时钟周期。如果你的CAS latency的值为2，tRCD的值为3，则最佳的tRAS值应该设置为7个时钟周期。为提高系统性能，应尽可能降低tRAS的值，但如果发生内存错误或系统死机，则应该增大tRAS的值。

如果使用DFI的主板，则tRAS值建议使用00，或者5-10之间的值。

Row Precharge Timing(tRP)

可选的设置：Auto，0，1，2，3，4，5，6，7。

该值就是“3-4-4-8”内存时序参数中的第3个参数，即第2个4。Row Precharge Timing (也被描述为：tRP、RAS Precharge、Precharge to active)，表示”内存行地址控制器预充电时间”，预充电参数越小则内存读写速度就越快。

tRP用来设定在另一行能被激活之前，RAS需要的充电时间。tRP参数设置太长会导致所有的行激活延迟过长，设为2可以减少预充电时间，从而更快地激活下一行。然而，想要把tRP设为2对大多数内存都是个很高的要求，可能会造成行激活之前的数据丢失，不能顺利地完成读写操作。对于桌面计算机来说，推荐预充电参数的值设定为2个时钟周期，这是最佳的设置。如果比此值低，则会因为每次激活相邻紧接着的bank将需要1个时钟周期，这将影响DDR内存的读写性能，从而降低性能。只有在tRP值为2而出现系统不稳定的情况下，将此值设定为3个时钟周期。

如果使用DFI的主板，则tRP值建议2-5之间的值。值为2将获取最高的性能，该值为4将在超频时获取最佳的稳定性，同样的而该值为5，则太保守。大部分内存都无法使用2的值，需要超频才可以达到该参数。

Row Cycle Time(tRC)

可选的设置：Auto，7-22，步幅值1。

Row Cycle Time(tRC、RC)，表示“SDRAM行周期时间”，它是包括行单元预充电到激活在内的整个过程所需要的最小的时钟周期数。

其计算公式是：row cycle time (tRC) = minimum row active time(tRAS) + row precharge time(tRP)。因此，设置该参数之前，你应该明白你的tRAS值和tRP值是多少。如果tRC的时间过长，会因在完成整个时钟周期后激活新的地址而等待无谓的延时，而降低性能。然后一旦该值设置过小，在被激活的行单元被充分充电之前，新的周期就可以被初始化。

在这种情况下，仍会导致数据丢失和损坏。因此，最好根据tRC = tRAS + tRP进行设置，如果你的内存模块的tRAS值是7个时钟周期，而tRP的值为4个时钟周期，则理想的tRC的值应当设置为11个时钟周期。

Row Refresh Cycle Time(tRFC)

可选的设置：Auto，9-24，步幅值1。

Row Refresh Cycle Time(tRFC、RFC)，表示“SDRAM行刷新周期时间”，它是行单元刷新所需要的时钟周期数。该值也表示向相同的bank中的另一个行单元两次发送刷新指令(即：REF指令)之间的时间间隔。tRFC值越小越好，它比tRC的值要稍高一些。

如果使用DFI的主板，通常tRFC的值不能达到9，而10为最佳设置，17-19是建议值。建议从17开始依次递减来测试该值。大多数稳定值为tRC加上2-4个时钟周期。

Row to Row Delay(RAS to RAS delay)(tRRD)

可选的设置：Auto， 0-7，每级以1的步幅递增。

Row to Row Delay，也被称为RAS to RAS delay (tRRD)，表示”行单元到行单元的延时”。该值也表示向相同的bank中的同一个行单元两次发送激活指令(即：REF指令)之间的时间间隔。tRRD值越小越好。

延迟越低，表示下一个bank能更快地被激活，进行读写操作。然而，由于需要一定量的数据，太短的延迟会引起连续数据膨胀。于桌面计算机来说，推荐tRRD值设定为2个时钟周期，这是最佳的设置，此时的数据膨胀可以忽视。如果比此值低，则会因为每次激活相邻紧接着的bank将需要1个时钟周期，这将影响DDR内存的读写性能，从而降低性能。只有在tRRD值为2而出现系统不稳定的情况下，将此值设定为3个时钟周期。

如果使用DFI的主板，则tRRD值为00是最佳性能参数，4时能达到最高的频率。通常2是最合适的值，00看上去很奇怪，但有人也能稳定运行在00-260MHz。

Write Recovery Time(tWR)

可选的设置：Auto，2，3。

Write Recovery Time (tWD)，表示“写恢复延时”。该值说明在一个激活的bank中完成有效的写操作及预充电前，必须等待多少个时钟周期。这段必须的时钟周期用来确保在预充电发生前，写缓冲中的数据可以被写进内存单元中。同样的，过低的tWD虽然提高了系统性能，但可能导致数据还未被正确写入到内存单元中，就发生了预充电操作，会导致数据的丢失及损坏。

如果你使用的是DDR200和266的内存，建议将tWR值设为2；如果使用或DDR400，则将tWD值设为3。如果使用DFI的主板，则tWR值建议为2。

Write to Read Delay(tWTR)

可选的设置：Auto，1，2。

Write to Read Delay (tWTR)，表示“读到写延时”。三星公司称其为“TCDLR (last data in to read command)”，即最后的数据进入读指令。它设定向DDR内存模块中的同一个单元中，在最后一次有效的写操作和下一次读操作之间必须等待的时钟周期。

tWTR值为2在高时钟频率的情况下，降低了读性能，但提高了系统稳定性。这种情况下，也使得内存芯片运行于高速度下。换句话说，增加tWTR值，可以让内容模块运行于比其默认速度更快的速度下。如果使用DDR266或DDR333，则将tWTR值设为1；如果使用DDR400，则也可试着将tWTR的值设为1，如果系统不稳定，则改为2。

Refresh Period(tREF)

可选的设置：Auto， 0032-4708，其步进值非固定。

Refresh Period (tREF)，表示“刷新周期”。它指内存模块的刷新周期。

先请看不同的参数在相同的内存下所对应的刷新周期(单位：微秒，即：一百万分之一秒)。?号在这里表示该刷新周期尚无对应的准确数据。

1552= 100mhz　　2064= 133mhz　　2592= 166mhz　　3120= 200mhz　　———————

3632= 100mhz　　4128= 133mhz

4672= 166mhz

0064= 200mhz

———————

0776= 100mhz　　1032= 133mhz　　1296= 166mhz　　1560= 200mhz

———————

1816= 100mhz　　2064= 133mhz　　2336= 166mhz　　0032= 200mhz　　———————

0388= 100mhz(15.6us)

0516= 133mhz(15.6us)

0648= 166mhz(15.6us)

0780= 200mhz(15.6us)

———————

0908= 100mhz(7.8us)

1032= 133mhz(7.8us)

1168= 166mhz(7.8us)

0016= 200mhz(7.8us)

———————

1536= 100mhz(3.9us)

2048= 133mhz(3.9us)

2560= 166mhz(3.9us)

3072= 200mhz(3.9us)

———————

3684= 100mhz(1.95us)

4196= 133mhz(1.95us)

4708= 166mhz(1.95us)

0128= 200mhz(1.95us)

如果采用Auto选项，主板BIOS将会查询内存上的一个很小的、名为“SPD”(Serial Presence Detect )的芯片。SPD存储了内存条的各种相关工作参数等信息，系统会自动根据SPD中的数据中最保守的设置来确定内存的运行参数。如过要追求最优的性能，则需手动设置刷新周期的参数。一般说来，15.6us适用于基于128兆位内存芯片的内存（即单颗容量为16MB的内存），而7.8us适用于基于256兆位内存芯片的内存（即单颗容量为32MB的内存）。注意，如果tREF刷新周期设置不当，将会导致内存单元丢失其数据。

另外根据其他的资料显示，内存存储每一个bit，都需要定期的刷新来充电。不及时充电会导致数据的丢失。DRAM实际上就是电容器，最小的存储单位是bit。阵列中的每个bit都能被随机地访问。但如果不充电，数据只能保存很短的时间。因此我们必须每隔15.6us就刷新一行。每次刷新时数据就被重写一次。正是这个原因DRAM也被称为非永久性存储器。一般通过同步的RAS-only的刷新方法（行刷新），每行每行的依次刷新。早期的EDO内存每刷新一行耗费15.6us的时间。因此一个2Kb的内存每列的刷新时间为15.6?s x2048行=32ms。

7. 怎么查看内存使用时间

1、以win10为例，打开“腾讯电脑管家”应用；

2、接下来在电脑管家界面选择右下角的“工具箱”选项3、接下来在工具箱界面选择“硬件检测”功能；

4、接下来在硬件检测界面选择“硬件概况”选项；

5、接下来在硬件概况界面选择左侧工具栏的“硬盘信息”选项；

6、接下来在硬盘信息界面就可以看到内存使用时间了；

8. 怎么查电脑储存内存

手机内存分为“运行内存”和“非运行内存”：

1、“运行内存”相当于电脑的内存（RAM），“运行内存”越大，能运行的程序就越多越流畅；

2、“非运行内存”，在手机中分为系统空间和手机存储，是机身内部的存储器，相当于电脑的硬盘，“非运行内存”越大，能存放的数据更多。查看路径：手机桌面–长按小房子按键查看运行内存参数；设置–存储，查看手机机身存储空间。

9. 电脑内存使用时间怎么查看

有3种查看方法，分别是在硬件的小标签上找、在BIOS中查看和用其它软件查查询。 具体方法如下：

1、打开机箱在主板，CPU，显卡、硬盘、内存中小标签有购买日期。

2、开机按delete键进入BIOS界面，找到主菜单看BIOS出厂日期。

3、下载优化大师或者鲁大师，点击查看硬件信息查看。

10. 内存怎么看使用时间

这个要看系统里配的硬盘容量，目前的监控系统录像要占用的硬盘空间为：0.25GB/小时/摄像头 根据你的摄像头数量来计算一下， 例如你有8个摄像头，装了2TB的硬盘，那么： 0.25*8=2GB/小时 一天就需要24*2=48GB，加上硬盘本身标注容量不可能全部被占用以及出现坏道等情况，我们按每天50GB计算，那么你的系统保存录像的时间为2000÷50=40天